Поликремний является важным материалом для распыления.Использование метода магнетронного распыления для приготовления SiO2 и других тонких пленок может повысить оптическую, диэлектрическую и коррозионную стойкость матричного материала, что широко используется в сенсорных экранах, оптической и других отраслях промышленности.
Процесс литья длинных кристаллов заключается в постепенном осуществлении направленного затвердевания жидкого кремния снизу вверх за счет точного контроля температуры нагревателя в горячем поле слитковой печи и отвода тепла теплоизоляционного материала, а также Скорость затвердевания длинных кристаллов составляет 0,8 ~ 1,2 см/ч.В то же время в процессе направленной затвердевания может быть реализован эффект сегрегации металлических элементов в кремниевых материалах, большая часть металлических элементов может быть очищена и может быть сформирована однородная структура зерен поликристаллического кремния.
Литейный поликремний также необходимо целенаправленно легировать в процессе производства, чтобы изменить концентрацию акцепторных примесей в расплаве кремния.Основной легирующей добавкой литого поликремния p-типа в промышленности является кремнийборная лигатура, в которой содержание бора составляет около 0,025%.Количество легирования определяется целевым удельным сопротивлением кремниевой пластины.Оптимальное удельное сопротивление составляет 0,02 ~ 0,05 Ом·см, а соответствующая концентрация бора составляет около 2 × 1014 см-3. Однако коэффициент сегрегации бора в кремнии составляет 0,8, что демонстрирует определенный эффект сегрегации в процессе направленной кристаллизации, что То есть элемент бора распределяется градиентом в вертикальном направлении слитка, а удельное сопротивление постепенно уменьшается от нижней части слитка к верхней.
Время публикации: 26 июля 2022 г.